FQP10N20L

Fairchild Semiconductor FQP10N20L

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  • FQP10N20L
  • Fairchild Semiconductor
  • N-CHANNEL POWER MOSFET
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • FQP10N20L Datenblatt
  • TO-220-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 12374
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
FQP10N20L
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
Paket
Bulk
Serie
QFET™
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220-3
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
87W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
830 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
5V, 10V

FQP10N20L Garantien

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