ON Semiconductor FQP2N40-F080
- FQP2N40-F080
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQP2N40-F080 Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 20031
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer FQP2N40-F080 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3 |
Paket Tube |
Serie QFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 40W (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.8A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 150 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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