ON Semiconductor FQPF9N25CYDTU
- FQPF9N25CYDTU
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQPF9N25CYDTU Datenblatt
- TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2121
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FQPF9N25CYDTU |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie QFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220F-3 (Y-Forming) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 38W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.8A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 710 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
FQPF9N25CYDTU Garantien
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