Fairchild Semiconductor FQT1N80TF_WS
- FQT1N80TF_WS
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQT1N80TF_WS Datenblatt
- TO-261-4, TO-261AA
- TO-261-4, TO-261AA
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2483
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FQT1N80TF_WS |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 |
Paket TO-261-4, TO-261AA |
Serie QFET? |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-261-4, TO-261AA |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-223-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2.1W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200mA (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 195pF @ 25V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10V |
Vgs (Max) 30V |
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