ON Semiconductor FQT4N25TF
- FQT4N25TF
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQT4N25TF Datenblatt
- TO-261-4, TO-261AA
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 767
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FQT4N25TF |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4 |
Paket -Reel® |
Serie QFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-261-4, TO-261AA |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-223-4 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2.5W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 830mA (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 415mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 200 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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