Infineon Technologies FS50R12W2T4B11BOMA1
- FS50R12W2T4B11BOMA1
- Infineon Technologies
- IGBT MOD 1200V 83A 335W
- Transistors - IGBTs - Modules
- FS50R12W2T4B11BOMA1 Datenblatt
- Module
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1030
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Teilenummer FS50R12W2T4B11BOMA1 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung IGBT MOD 1200V 83A 335W |
Paket Tray |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Module |
Gerätepaket des Lieferanten Module |
Power-Max 335 W |
Konfiguration Three Phase Inverter |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 83 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 1 mA |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.8 nF @ 25 V |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat Yes |
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