Infineon Technologies FS75R07N2E4B11BOSA1
- FS75R07N2E4B11BOSA1
- Infineon Technologies
- IGBT MODULE 650V 75A 250W
- Transistors - IGBTs - Modules
- FS75R07N2E4B11BOSA1 Datenblatt
- Module
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 10267
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Teilenummer FS75R07N2E4B11BOSA1 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung IGBT MODULE 650V 75A 250W |
Paket Tray |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Module |
Gerätepaket des Lieferanten Module |
Power-Max 250 W |
Konfiguration Three Phase Inverter |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 75 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 1 mA |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.6 nF @ 25 V |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat Yes |
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