GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247
- GA08JT17-247
- GeneSiC Semiconductor
- TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- GA08JT17-247 Datenblatt
- TO-247-3
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3224
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer GA08JT17-247 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung TRANS SJT 1700V 8A TO247AB |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247AB |
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Verlustleistung (max.) 48W (Tc) |
FET-Typ - |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc) (90°C) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 8A |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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