GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252
- GB05SLT12-252
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
- Diodes - Rectifiers - Single
- GB05SLT12-252 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 727
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Teilenummer GB05SLT12-252 |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 |
Paket Tube |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252 |
Diodentyp Silicon Carbide Schottky |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 5A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 2 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 50 µA @ 1200 V |
Kapazität@Vr,F 260pF @ 1V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200 V |
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
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