GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227
- GB2X100MPS12-227
- GeneSiC Semiconductor
- SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- GB2X100MPS12-227 Datenblatt
- SOT-227-4, miniBLOC
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3342
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Teilenummer GB2X100MPS12-227 |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung SIC DIODE 1200V 200A SOT-227 |
Paket Tube |
Serie SiC Schottky MPS™ |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer SOT-227-4, miniBLOC |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-227 |
Diodentyp Silicon Carbide Schottky |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 100 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 80 µA @ 1200 V |
Diodenkonfiguration 2 Independent |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 185A (DC) |
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
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