GD25Q16EWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EWIGR

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  • GD25Q16EWIGR
  • GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 16MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 6*
  • Memory
  • GD25Q16EWIGR Datenblatt
  • 8-WDFN Exposed Pad
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 13379
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
GD25Q16EWIGR
Kategorie
Memory
Hersteller
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Beschreibung
16MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 6*
Paket
-Reel®
Serie
-
Spannung - Versorgung
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
8-WSON (5x6)
Speichergröße
16Mb (2M x 8)
Technologie
FLASH - NOR
Speichertyp
Non-Volatile
Taktfrequenz
133 MHz
Zugriffszeit
7 ns
Gedächtnis-Format
FLASH
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
70µs, 2ms
Speicherschnittstelle
SPI - Quad I/O

GD25Q16EWIGR Garantien

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