GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EWIGR
- GD25Q16EWIGR
- GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 16MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 6*
- Memory
- GD25Q16EWIGR Datenblatt
- 8-WDFN Exposed Pad
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 13379
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer GD25Q16EWIGR |
| Kategorie Memory |
| Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Beschreibung 16MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 6* |
| Paket -Reel® |
| Serie - |
| Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-WDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (5x6) |
| Speichergröße 16Mb (2M x 8) |
| Technologie FLASH - NOR |
| Speichertyp Non-Volatile |
| Taktfrequenz 133 MHz |
| Zugriffszeit 7 ns |
| Gedächtnis-Format FLASH |
| Schreibzykluszeit – Wort, Seite 70µs, 2ms |
| Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O |
GD25Q16EWIGR Garantien



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Bemerkungen
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GigaDevice Semiconductor Inc. was founded in April 2005 and is a Chinese company headquartered in Beijing, China. It has branches and offices in multiple countries and regions including Shanghai, Shenzhen, Hefei, Xi'an, Chengdu, Hong...
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