SemiQ GPA030A135MN-FDR
- GPA030A135MN-FDR
- SemiQ
- IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
- Transistors - IGBTs - Single
- GPA030A135MN-FDR Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 12788
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer GPA030A135MN-FDR |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
| Hersteller SemiQ |
| Beschreibung IGBT 1350V 60A 329W TO3PN |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-3PN |
| Power-Max 329 W |
| Eingabetyp Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) 450 ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1350 V |
| IGBT-Typ Trench Field Stop |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A |
| Gate-Gebühr 300 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C 30ns/145ns |
| Testbedingung 600V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) 90 A |
| Energie wechseln 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
GPA030A135MN-FDR Garantien



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