Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q)
- GT30J121(Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- IGBT 600V 30A 170W TO3PN
- Transistors - IGBTs - Single
- GT30J121(Q) Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3209
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer GT30J121(Q) |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung IGBT 600V 30A 170W TO3PN |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur - |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-3P(N) |
Power-Max 170 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A |
Gate-Gebühr - |
Td (ein/aus) bei 25 °C 90ns/300ns |
Testbedingung 300V, 30A, 24Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 60 A |
Energie wechseln 1mJ (on), 800µJ (off) |
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