H5N2522LSTL-E

Renesas Electronics America Inc H5N2522LSTL-E

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  • H5N2522LSTL-E
  • Renesas Electronics America Inc
  • MOSFET N-CH 250V 20A 4LDPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • H5N2522LSTL-E Datenblatt
  • SC-83
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 8319
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
H5N2522LSTL-E
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 20A 4LDPAK
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-83
Gerätepaket des Lieferanten
LDPAK
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1300 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

H5N2522LSTL-E Garantien

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