Renesas Electronics America Inc HAT2173N-EL-E
- HAT2173N-EL-E
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 100V 25A 8LFPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- HAT2173N-EL-E Datenblatt
- 8-PowerSOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1581
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer HAT2173N-EL-E |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 25A 8LFPAK |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerSOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-LFPAK-iV |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 30W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.3mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 6V @ 20mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4.35 pF @ 10 V |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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