HGT1S14N41G3VLT

Fairchild Semiconductor HGT1S14N41G3VLT

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  • HGT1S14N41G3VLT
  • Fairchild Semiconductor
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • HGT1S14N41G3VLT Datenblatt
  • -
  • Bulk
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  • 26798
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Teilenummer
HGT1S14N41G3VLT
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Power-Max
-
Transistortyp
-
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
-
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Frequenzübergang
-

HGT1S14N41G3VLT Garantien

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