Harris Corporation HGT4E30N60B3S
- HGT4E30N60B3S
- Harris Corporation
- IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- HGT4E30N60B3S Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 1852
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| Teilenummer HGT4E30N60B3S |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Hersteller Harris Corporation |
| Beschreibung IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart - |
| Paket/Koffer - |
| Gerätepaket des Lieferanten - |
| Power-Max - |
| Transistortyp - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) - |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) - |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic - |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) - |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce - |
| Frequenzübergang - |
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Bemerkungen
Harris Corporation
Harris Semiconductor was founded in 1992. It is a global multinational company with a history of nearly 100 years. It is recognized as the world's leading supplier of high-quality welding materials. It mainly produces high-quality...
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