Harris Corporation HGTD8P50G1S
- HGTD8P50G1S
- Harris Corporation
- 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
- Transistors - IGBTs - Single
- HGTD8P50G1S Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4302
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer HGTD8P50G1S |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
| Hersteller Harris Corporation |
| Beschreibung 8A, 500V P-CHANNEL IGBT |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
| Power-Max 66 W |
| Eingabetyp Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 12 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 500 V |
| IGBT-Typ - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 3A |
| Gate-Gebühr 30 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C - |
| Testbedingung - |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) 18 A |
| Energie wechseln - |
HGTD8P50G1S Garantien



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Harris Semiconductor was founded in 1992. It is a global multinational company with a history of nearly 100 years. It is recognized as the world's leading supplier of high-quality welding materials. It mainly produces high-quality...
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