HGTG18N120BND

ON Semiconductor HGTG18N120BND

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  • HGTG18N120BND
  • ON Semiconductor
  • IGBT 1200V 54A 390W TO247
  • Transistors - IGBTs - Single
  • HGTG18N120BND Datenblatt
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3879
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
HGTG18N120BND
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 54A 390W TO247
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-3
Power-Max
390 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
54 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
1200 V
IGBT-Typ
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 18A
Gate-Gebühr
165 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
23ns/170ns
Testbedingung
960V, 18A, 3Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
160 A
Energie wechseln
1.9mJ (on), 1.8mJ (off)

HGTG18N120BND Garantien

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