Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL R3G
- HS1JL R3G
- Taiwan Semiconductor Corporation
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Diodes - Rectifiers - Single
- HS1JL R3G Datenblatt
- DO-219AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 17165
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Teilenummer HS1JL R3G |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer DO-219AB |
Gerätepaket des Lieferanten Sub SMA |
Diodentyp Standard |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 1 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 5 µA @ 600 V |
Kapazität@Vr,F 15pF @ 4V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600 V |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 75 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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