HS1ML R3G

Taiwan Semiconductor Corporation HS1ML R3G

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • HS1ML R3G
  • Taiwan Semiconductor Corporation
  • DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • HS1ML R3G Datenblatt
  • DO-219AB
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 10014
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
HS1ML R3G
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
DO-219AB
Gerätepaket des Lieferanten
Sub SMA
Diodentyp
Standard
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 1 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
5 µA @ 1000 V
Kapazität@Vr,F
15pF @ 4V, 1MHz
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
1000 V
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 150°C

HS1ML R3G Garantien

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