Fairchild Semiconductor HUF75631SK8
- HUF75631SK8
- Fairchild Semiconductor
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- HUF75631SK8 Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2307
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Teilenummer HUF75631SK8 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung N-CHANNEL POWER MOSFET |
Paket Bulk |
Serie UltraFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.5A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 20 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1225 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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