HUF75939S3ST

Fairchild Semiconductor HUF75939S3ST

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  • HUF75939S3ST
  • Fairchild Semiconductor
  • N-CHANNEL POWER MOSFET
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • HUF75939S3ST Datenblatt
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 23532
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
HUF75939S3ST
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
Paket
Bulk
Serie
UltraFET®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D2PAK (TO-263)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2200 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

HUF75939S3ST Garantien

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