Infineon Technologies IAUS200N08S5N023ATMA1
- IAUS200N08S5N023ATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IAUS200N08S5N023ATMA1 Datenblatt
- 8-PowerSMD, Gull Wing
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 12927
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| Teilenummer IAUS200N08S5N023ATMA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-HSOG-8-1 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 200W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.8V @ 130µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7670 pF @ 40 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
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