Renesas Electronics America Inc IDT70P3517S233RM
- IDT70P3517S233RM
- Renesas Electronics America Inc
- IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA
- General Memory
- IDT70P3517S233RM Datenblatt
- 576-BBGA, FCBGA
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3114
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer IDT70P3517S233RM |
Kategorie General Memory |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA |
Paket Tray |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 576-BBGA, FCBGA |
Gerätepaket des Lieferanten 576-FCBGA (25x25) |
Speichergröße 9Mb (256K x 36) |
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz 233 MHz |
Zugriffszeit 7.2 ns |
Gedächtnis-Format SRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite - |
Speicherschnittstelle Parallel |
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