Infineon Technologies IGP01N120H2
- IGP01N120H2
- Infineon Technologies
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
- Transistors - IGBTs - Single
- IGP01N120H2 Datenblatt
- TO-220-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2558
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IGP01N120H2 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Power-Max 28 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 3.2 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 1A |
Gate-Gebühr 8.6 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 13ns/370ns |
Testbedingung 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 3.5 A |
Energie wechseln 140µJ |
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