IGT60R070D1ATMA4

Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA4

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  • IGT60R070D1ATMA4
  • Infineon Technologies
  • GANFET N-CH
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IGT60R070D1ATMA4 Datenblatt
  • 8-PowerSFN
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4898
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
IGT60R070D1ATMA4
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
GANFET N-CH
Paket
Tube
Serie
CoolGaN™
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerSFN
Gerätepaket des Lieferanten
PG-HSOF-8-3
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @Id
1.6V @ 2.6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
380 pF @ 400 V
Vgs (Max)
-10V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
-

IGT60R070D1ATMA4 Garantien

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