Infineon Technologies IMBG120R350M1HXTMA1
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Infineon Technologies
- TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IMBG120R350M1HXTMA1 Datenblatt
- TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 2135
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer IMBG120R350M1HXTMA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263 |
| Paket Tube |
| Serie CoolSiC™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-TO263-7-12 |
| Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Verlustleistung (max.) 65W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.7A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 468mOhm @ 2A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @Id 5.7V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.9 nC @ 18 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 196 pF @ 800 V |
| Vgs (Max) +18V, -15V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
IMBG120R350M1HXTMA1 Garantien



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