Infineon Technologies IMBG120R350M1HXTMA1
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Infineon Technologies
- TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IMBG120R350M1HXTMA1 Datenblatt
- TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2135
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IMBG120R350M1HXTMA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263 |
Paket Tube |
Serie CoolSiC™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO263-7-12 |
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Verlustleistung (max.) 65W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.7A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 468mOhm @ 2A, 18V |
Vgs(th) (Max) @Id 5.7V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.9 nC @ 18 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 196 pF @ 800 V |
Vgs (Max) +18V, -15V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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