Infineon Technologies IPAN60R360PFD7SXKSA1
- IPAN60R360PFD7SXKSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 10A TO220
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPAN60R360PFD7SXKSA1 Datenblatt
- TO-220-3 Full Pack
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1502
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung MOSFET N-CH 650V 10A TO220 |
| Paket Tube |
| Serie CoolMOS™PFD7 |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 Full Pack |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-TO220-FP |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 23W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 140µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12.7 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 534 pF @ 400 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Garantien



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Founded on April 1, 1999, Infineon Technologies is a leading global semiconductor company and one of the largest semiconductor product manufacturers in Germany. The company is headquartered in Munich, Germany, and its predecessor was the...
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