Infineon Technologies IPB720P15LMATMA1
- IPB720P15LMATMA1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TO263-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPB720P15LMATMA1 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 9586
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
- Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
| Teilenummer IPB720P15LMATMA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung TRENCH >=100V PG-TO263-3 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie OptiMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-TO263-3 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.6A (Ta), 41A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 37A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 5.55mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 224 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 11000 pF @ 75 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
IPB720P15LMATMA1 Garantien



• Antworten Sie umgehend
• Garantierte Qualität
• Globaler Zugang
• Wettbewerbsfähiger Marktpreis
• One-Stop-Support für die Lieferkette
Jinftry, es ist Ihr vertrauenswürdigster Zulieferer. Bitte senden Sie uns die Anfrage. Vielen Dank!
Haben Sie Fragen zu IPB720P15LMATMA1 ?
Fühlen Sie sich frei uns zu kontaktieren:
+86-755-28503874
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( E-Mail zuerst wird dankbar sein )
Bemerkungen
Infineon Technologies

Founded on April 1, 1999, Infineon Technologies is a leading global semiconductor company and one of the largest semiconductor product manufacturers in Germany. The company is headquartered in Munich, Germany, and its predecessor was the...
AUIRFS4010-7TRL
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
IPB019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
IST011N06NM5AUMA1
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
AUIRFS3107-7TRL
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
SPA20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
IPW50R140CPFKSA1
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
IPB65R110CFDATMA2
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P




