Infineon Technologies IPB80P04P4L08ATMA2
- IPB80P04P4L08ATMA2
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPB80P04P4L08ATMA2 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 21894
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| Teilenummer IPB80P04P4L08ATMA2 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie OptiMOS®-P2 |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-TO263-3-2 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 75W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 120µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5430 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) +5V, -16V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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