Infineon Technologies IPBE65R050CFD7AATMA1
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- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPBE65R050CFD7AATMA1 Datenblatt
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 15791
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| Teilenummer IPBE65R050CFD7AATMA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-TO263-7-3-10 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 227W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 45A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 24.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 1.24mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4975 pF @ 400 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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