Infineon Technologies IPP015N04NGXKSA1
- IPP015N04NGXKSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPP015N04NGXKSA1 Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 6308
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IPP015N04NGXKSA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 |
Paket Tube |
Serie OptiMOS™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 250W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 200µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 20000 pF @ 20 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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