Infineon Technologies IPP147N12N3G
- IPP147N12N3G
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPP147N12N3G Datenblatt
- TO-220-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4328
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| Teilenummer IPP147N12N3G |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 |
| Paket Bulk |
| Serie OptiMOS™ 3 |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-TO220-3 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 107W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 56A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.7mOhm @ 56A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 61µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3220 pF @ 60 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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