Infineon Technologies IPP147N12N3G
- IPP147N12N3G
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPP147N12N3G Datenblatt
- TO-220-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4328
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IPP147N12N3G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 |
Paket Bulk |
Serie OptiMOS™ 3 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO220-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 107W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 56A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.7mOhm @ 56A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 61µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3220 pF @ 60 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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