Infineon Technologies IPP200N25N3 G
- IPP200N25N3 G
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPP200N25N3 G Datenblatt
- TO-220-3
- TO-220-3
-
Lead free / RoHS Compliant
- 28123
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IPP200N25N3 G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 |
Paket TO-220-3 |
Serie OptiMOS? |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO-220-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 300W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 64A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 64A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 270µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7100pF @ 100V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10V |
Vgs (Max) 20V |
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