Infineon Technologies IPSA70R600P7SAKMA1
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPSA70R600P7SAKMA1 Datenblatt
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 28239
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IPSA70R600P7SAKMA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 |
Paket Tube |
Serie CoolMOS™ P7 |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO251-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 43.1W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3.5V @ 90µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 400 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 364 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±16V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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