Infineon Technologies IPTG111N20NM3FDATMA1
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-HSOG-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPTG111N20NM3FDATMA1 Datenblatt
- 8-PowerSMD, Gull Wing
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 23226
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer IPTG111N20NM3FDATMA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung TRENCH >=100V PG-HSOG-8 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie OptiMOS™ 3 |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-HSOG-8-1 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.8A (Ta), 108A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 96A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 267µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7000 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
IPTG111N20NM3FDATMA1 Garantien



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