Infineon Technologies IPW80R360P7XKSA1
- IPW80R360P7XKSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPW80R360P7XKSA1 Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3582
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IPW80R360P7XKSA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3 |
Paket Tube |
Serie CoolMOS™ P7 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO247-3-41 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 84W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3.5V @ 280µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 930 pF @ 500 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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