Infineon Technologies IPWS65R075CFD7AXKSA1
- IPWS65R075CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPWS65R075CFD7AXKSA1 Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4724
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IPWS65R075CFD7AXKSA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41 |
Paket Tube |
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO247-3-41 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 171W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 32A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 16.4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 820µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3288 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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