IRF5305STRRPBF

Infineon Technologies IRF5305STRRPBF

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  • IRF5305STRRPBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IRF5305STRRPBF Datenblatt
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 12110
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
IRF5305STRRPBF
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Paket
-Reel®
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D2PAK
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1200 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

IRF5305STRRPBF Garantien

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