Infineon Technologies IRF60R217
- IRF60R217
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRF60R217 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2417
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IRF60R217 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 58A DPAK |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie StrongIRFET™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten D-PAK (TO-252AA) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 83W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 58A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 35A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3.7V @ 50µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2170 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
IRF60R217 Garantien
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