Infineon Technologies IRF7524D1TRPBF
- IRF7524D1TRPBF
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRF7524D1TRPBF Datenblatt
- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118\", 3.00mm Width)
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4573
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IRF7524D1TRPBF |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie FETKY™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118\", 3.00mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten Micro8™ |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) |
FET-Typ P-Channel |
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.7A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @Id 700mV @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 240 pF @ 15 V |
Vgs (Max) ±12V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.7V, 4.5V |
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