Vishay Siliconix IRF9Z20
- IRF9Z20
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRF9Z20 Datenblatt
- TO-220-3
- TO-220-3
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1826
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IRF9Z20 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Vishay Siliconix |
Beschreibung MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB |
Paket TO-220-3 |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220AB |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 40W (Tc) |
FET-Typ P-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.7A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 480pF @ 25V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10V |
Vgs (Max) ±20V |
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Bemerkungen
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