Infineon Technologies IRFC3810B
- IRFC3810B
- Infineon Technologies
- MOSFET 100V 170A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRFC3810B Datenblatt
- Die
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 29394
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Teilenummer IRFC3810B |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET 100V 170A DIE |
Paket Bulk |
Serie HEXFET® |
Betriebstemperatur - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) - |
FET-Typ - |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 170A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 170A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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