IRFR210TRRPBF

Vishay Siliconix IRFR210TRRPBF

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • IRFR210TRRPBF
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IRFR210TRRPBF Datenblatt
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 16437
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
IRFR210TRRPBF
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Paket
-Reel®
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
D-Pak
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
140 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

IRFR210TRRPBF Garantien

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