Fairchild Semiconductor IRFR430BTM
- IRFR430BTM
- Fairchild Semiconductor
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRFR430BTM Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 10841
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Teilenummer IRFR430BTM |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung N-CHANNEL POWER MOSFET |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252-3 (DPAK) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.75A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1050 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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