Infineon Technologies IRFS3207ZTRRPBF
- IRFS3207ZTRRPBF
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRFS3207ZTRRPBF Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 14941
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Teilenummer IRFS3207ZTRRPBF |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie HEXFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten D²PAK (TO-263) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 300W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 75A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 150µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6920 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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