Infineon Technologies IRG7CH35UEF
- IRG7CH35UEF
- Infineon Technologies
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Transistors - IGBTs - Single
- IRG7CH35UEF Datenblatt
- Die
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 28781
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Part Number IRG7CH35UEF |
Category Transistors - IGBTs - Single |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
Package Bulk |
Series - |
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case Die |
Supplier Device Package Die |
Power - Max - |
Input Type Standard |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Current - Collector (Ic) (Max) - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V |
IGBT Type - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 5A |
Gate Charge 85 nC |
Td (on/off) @ 25°C 30ns/160ns |
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
Current - Collector Pulsed (Icm) - |
Switching Energy - |
Package_case Die |
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