ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18A-300M3L
- IS61DDB21M18A-300M3L
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
- General Memory
- IS61DDB21M18A-300M3L Datenblatt
- 165-LBGA
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4117
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer IS61DDB21M18A-300M3L |
Kategorie General Memory |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Beschreibung IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.71V ~ 1.89V |
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 165-LBGA |
Gerätepaket des Lieferanten 165-LFBGA (13x15) |
Speichergröße 18Mb (1M x 18) |
Technologie SRAM - Synchronous, DDR II |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz 300 MHz |
Zugriffszeit - |
Gedächtnis-Format SRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite - |
Speicherschnittstelle Parallel |
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Bemerkungen
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Established in 1988, Integrated Silicon Solution Inc. is a globally leading integrated circuit design company headquartered in Santa Clara, California, USA. In 2020, ISSI was acquired by Beijing Junzheng and became a wholly-owned subsidiary of...

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