ON Semiconductor ISL9R18120S3ST
- ISL9R18120S3ST
- ON Semiconductor
- DIODE GEN PURP 1200V 18A TO263AB
- Diodes - Rectifiers - Single
- ISL9R18120S3ST Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 11352
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Teilenummer ISL9R18120S3ST |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung DIODE GEN PURP 1200V 18A TO263AB |
Paket Tube |
Serie Stealth™ |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten D²PAK (TO-263) |
Diodentyp Standard |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 18A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.3 V @ 18 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 100 µA @ 1200 V |
Kapazität@Vr,F - |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200 V |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 300 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
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Bemerkungen
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